研磨抛光，切割前应对其定向，确定切割面，切割时首先将锯片固定好，被切晶体材料固定好，切割速度选择好，切割时不能不用切割液，它不仅能冲洗锯片，而且还能减少由于切割发热对晶体表面产生的损害，切割液还能冲刷切割区的晶体碎渣。 切割下来的晶片，要进入下一道工序研磨。首先要用测厚仪分类测量晶片的厚度进行分组，将厚度相近的晶片对称粘在载料块上。粘接前，要对晶片的周边进行倒角处理。粘片时载料块温度不易太高，只要固定腊溶化即可，晶片 摆放在载料块的 外圈，粘片要对称，而且要把晶片下面的空气排净（用铁块压实）。防止产生载料块不转和气泡引发的碎片的现象。在研磨过程中适时测量减薄的厚度，直到工艺要求的公差尺寸为止。 使用研磨抛光机前要将设备清洗干净，同时为保证磨盘的平整度，每次使用前都要进行研盘，研盘时将修整环和磨盘自磨，选用研磨液要与研磨晶片的研磨液相同的磨料进行，每次修盘时间10分钟左右即可。只有这样才能保证在研磨时晶片表面不受损伤，达到理想的研磨效果。 抛光前要检查抛光布是否干净，抛光布是否粘的平整，一定要干净平整。进行抛光时，抛光液的流量不能小，要使抛光液在抛光布上充分饱和，一般抛光时间在一小时以上，期间 不停机，因为停机，化学反应仍在进行，而机械摩擦停止，造成腐蚀速率大于机械摩擦速率，而使晶片表面出现小坑点。 设备的清洗非常重要，清洗是否干净将直接影响磨、抛晶片的质量。每次研磨或抛光后，都要认真将设备里外清洗干净。

一是关于原料的配制，我们需要借助更科学合理的配比方法来增强平板抛光所拉出的扁丝的物理性能。通常情况下，如果在母料当中，增加一定量的填充母料，将会使扁丝的拉伸强度有所减少。 第二个方面的问题就是关于冷却水的温度，也就是冷却效果。这一因素与平板抛光的一个关键部件联系密切，就是水箱，正常情况下，水温应当保持在四十度到六十度的范围内，才可以达到较为理想的冷却效果。这是因为冷却水温过高或者是过低，都不利于膜片冷却成形后的物理性能。 而在其的生产过程中，会对抛光产品的品质和性能带来严重影响的一项重要工作，就是关于如何调控其的拉伸强度。如果没有调控到理想的状态，那么可能就会对抛光的生产工作带来负面影响，因此，我们需要按照一定的要求来进行调控。那么，究竟该如何来操作呢? 应当考虑的一个方面，就是关于在生产过程中，所采用的拉伸工艺是否操作合理。在平板抛光加工过程中，对于扁丝的拉伸就意味着是把冷却定型后的扁丝加热至较高的温度，是控制在玻璃化温度和软化点温度之间，这样就可以得到很好的控制。