






浅析硅片抛光机加工件的两种抛光方式
硅片抛光机加工件如何解决这个矛盾的 的办法就是把抛光分为两个阶段进行。粗抛目的是去除磨光损伤层,这一阶段应具有 大的抛光速率,粗抛形成的表层损伤是次要的考虑,不过也应当尽可能小;其次是精抛(或称终抛),其目的是去除粗抛产生的表层损伤,使抛光损伤减到 小。 硅片抛光机加工件不是碾除整体的糠层,是通过碾除细微的糠粉和粗糙表上面突起的淀粉细粒,抛光机加工件抛光和碾白从工作方面比较存在着很大的差别,抛光机加工件抛光压力很低,抛光机加工件抛光米粒的时候流体密度很小,抛光时米粒离开铁辊的速度很快,而且抛光机加工件单位产量抛光运动面积很大。

内孔去毛刺后,精度差别只有几个微米!
大家看一下我手里这个产品,孔路非常多,材质相对来说也很硬。如果人工来处理这个孔里面的毛刺,难度和风险都很大。放在显微镜下面,可以更清楚看到这些毛刺,虽然毛刺不大,但是位置隐蔽,不好处理。 现在我们就用精艺研磨设备,来对这个产品孔内去毛刺。大家可以看到,这个软性磨料的喷射速度非常快,磨料从主孔进入,从其他小孔挤出,就是通过磨料的研磨,把毛刺去除掉。毛刺去除后,产品孔径公差影响小于5个μ,孔口位置非常光滑,还可以根据需求调整倒角大小。

