气缸去毛刺，液态研磨介质的精艺更合适！

交叉孔毛刺是影响气缸品质的致命性因素，而气缸孔多，内壁不能有划伤，给去毛刺工作带来了一定的困扰。使用液态磨料作为研磨介质的高速精艺设备，不仅提升气缸去毛刺效率，更可 大限度维持精度，并保护内壁不被划伤。相对于人工去毛刺，这种工艺去毛刺效果也更彻底，不会留有残留毛刺。 液态研磨介质中含有硬度较高的金刚砂微粉，受到挤压力后，液态磨料对气缸交叉孔毛刺进行切削研磨，研磨成更细的金属粉混合在液体中流出。这和电化学去毛刺不一样，电化学去毛刺是用化学溶液去腐蚀毛刺。因此，高速精艺去毛刺的方式，更环保更安全，而且即使遇到弯曲孔或是内交叉孔也没有问题。 实际去毛刺过程，液态磨料的流速比演示图上的要快很多，高速喷射，喷射压力根据毛刺大小，可在10-50兆帕。但是这个压力，又不致于对气缸本体造成任何影响，由于毛刺非常脆，而且位于交叉孔部位，所以比气缸本体受到更大压力。类似于河道交汇处泥土流失更快、角度更圆滑的状态。

切割、研磨、抛光容易忽视的操作环节要注意了

研磨抛光，切割前应对其定向，确定切割面，切割时首先将锯片固定好，被切晶体材料固定好，切割速度选择好，切割时不能不用切割液，它不仅能冲洗锯片，而且还能减少由于切割发热对晶体表面产生的损害，切割液还能冲刷切割区的晶体碎渣。 切割下来的晶片，要进入下一道工序研磨。首先要用测厚仪分类测量晶片的厚度进行分组，将厚度相近的晶片对称粘在载料块上。粘接前，要对晶片的周边进行倒角处理。粘片时载料块温度不易太高，只要固定腊溶化即可，晶片 摆放在载料块的 外圈，粘片要对称，而且要把晶片下面的空气排净（用铁块压实）。防止产生载料块不转和气泡引发的碎片的现象。在研磨过程中适时测量减薄的厚度，直到工艺要求的公差尺寸为止。 使用研磨抛光机前要将设备清洗干净，同时为保证磨盘的平整度，每次使用前都要进行研盘，研盘时将修整环和磨盘自磨，选用研磨液要与研磨晶片的研磨液相同的磨料进行，每次修盘时间10分钟左右即可。只有这样才能保证在研磨时晶片表面不受损伤，达到理想的研磨效果。 抛光前要检查抛光布是否干净，抛光布是否粘的平整，一定要干净平整。进行抛光时，抛光液的流量不能小，要使抛光液在抛光布上充分饱和，一般抛光时间在一小时以上，期间 不停机，因为停机，化学反应仍在进行，而机械摩擦停止，造成腐蚀速率大于机械摩擦速率，而使晶片表面出现小坑点。 设备的清洗非常重要，清洗是否干净将直接影响磨、抛晶片的质量。每次研磨或抛光后，都要认真将设备里外清洗干净。