硅片抛光机加工件如何解决这个矛盾的 的办法就是把抛光分为两个阶段进行。粗抛目的是去除磨光损伤层，这一阶段应具有 大的抛光速率，粗抛形成的表层损伤是次要的考虑，不过也应当尽可能小；其次是精抛(或称终抛)，其目的是去除粗抛产生的表层损伤，使抛光损伤减到 小。 硅片抛光机加工件不是碾除整体的糠层，是通过碾除细微的糠粉和粗糙表上面突起的淀粉细粒，抛光机加工件抛光和碾白从工作方面比较存在着很大的差别，抛光机加工件抛光压力很低，抛光机加工件抛光米粒的时候流体密度很小，抛光时米粒离开铁辊的速度很快，而且抛光机加工件单位产量抛光运动面积很大。

1)研磨外圆 说明：①研磨外圆一般在精磨或精车基础上进行。手工研磨外圆可在车床上进行，工件和研具之间涂上研磨剂，工件由车床主轴带动旋转，研具用手扶持作轴向往复移动。 ②平面研磨机加工件研磨外圆在研磨机加工件上进行，一般用于研磨滚珠类零件的外圆。 2)研磨内圆 说明：研磨内圆需在精磨、精铰或精镗之后进行，一般为手工研磨。研具为开口锥套，套在锥度心轴上研磨剂涂于工件与研具之间，手扶工件作轴向往复移动。平面研磨机加工件研磨一定时间后，向锥度心轴大端方向调整锥套，使之直径胀大，以保持对工件孔壁的压力。 3)研磨平面 说明：研磨平面一般在精磨之后进行。手工研磨平面时，研磨剂涂在研磨平板(研具)上，手持工件作直线往复运动或“8”字形运动。研磨一定时间后，将工件调转90°～180°，以防工件倾斜。对于工件上局部待研的小平面、方孔、窄缝等表面，也可手持研具进行研磨。批量较大的简单零件上的平面亦可在平面研磨机加工件上研磨。