带凹槽的外表面抛光，看精艺研磨的操作

带凹槽的外表面，精艺研磨同样可以抛光。这里分两种情况，一种是竖向的凹槽，即使是直角的，异形的，都可以抛。如果是横向凹槽，弧面的，或是斜面的可以抛光，但如果是直角的，效果就不太好了。像下面这个工件，竖向凹槽，随便抛，没有问题。 如果工件不大，可以做个工装，一次多抛几支。如果尺寸比较大，那就一支一支地抛。这个工装比较简单，主要起一个夹持作用。 如果工件原始粗糙度可以达到0.8，精艺研磨抛光完成后，粗糙度可以达到0.2。原始粗糙度越低，抛光后粗糙度就越好， 可以达到0.018。当然如果你想把1.6的粗糙度抛到0.2，除非预留足够的余量，并且抛光时间也会更长。所以如果客户要进行超精密抛光，可以先将底胚打好，再上精艺研磨精抛，就会事半功倍。 必须要提一句，精艺研磨抛光是非常环保的，磨料可以连续使用800小时，这800 小时的意思是，如果你一次抛光需要3分钟，那么800小时就可以抛光16000次（20*800），如果一次可以抛4支工件，那么每批磨料可以抛64000支，而每批磨料看设备大小，需要几公斤到几十公斤不等，单位抛光成本极低。

切割、研磨、抛光容易忽视的操作环节要注意了

研磨抛光，切割前应对其定向，确定切割面，切割时首先将锯片固定好，被切晶体材料固定好，切割速度选择好，切割时不能不用切割液，它不仅能冲洗锯片，而且还能减少由于切割发热对晶体表面产生的损害，切割液还能冲刷切割区的晶体碎渣。 切割下来的晶片，要进入下一道工序研磨。首先要用测厚仪分类测量晶片的厚度进行分组，将厚度相近的晶片对称粘在载料块上。粘接前，要对晶片的周边进行倒角处理。粘片时载料块温度不易太高，只要固定腊溶化即可，晶片 摆放在载料块的 外圈，粘片要对称，而且要把晶片下面的空气排净（用铁块压实）。防止产生载料块不转和气泡引发的碎片的现象。在研磨过程中适时测量减薄的厚度，直到工艺要求的公差尺寸为止。 使用研磨抛光机前要将设备清洗干净，同时为保证磨盘的平整度，每次使用前都要进行研盘，研盘时将修整环和磨盘自磨，选用研磨液要与研磨晶片的研磨液相同的磨料进行，每次修盘时间10分钟左右即可。只有这样才能保证在研磨时晶片表面不受损伤，达到理想的研磨效果。 抛光前要检查抛光布是否干净，抛光布是否粘的平整，一定要干净平整。进行抛光时，抛光液的流量不能小，要使抛光液在抛光布上充分饱和，一般抛光时间在一小时以上，期间 不停机，因为停机，化学反应仍在进行，而机械摩擦停止，造成腐蚀速率大于机械摩擦速率，而使晶片表面出现小坑点。 设备的清洗非常重要，清洗是否干净将直接影响磨、抛晶片的质量。每次研磨或抛光后，都要认真将设备里外清洗干净。