内孔抛光、棱角去毛刺，一次性完成

如图中所示模具，在侧壁上有10个小孔，但这些小孔并不是封闭的，而是切开的细缝，我们需要使用精艺研磨设备， 这些小孔进行抛光。 像这样的模具，我们可以做个工装在外部包围起来，这样磨料进入内孔抛光的时候，就不会因为完全泄漏出来而失压。磨料在抛光内孔壁的时候，因为摩擦力，同时还会对细缝的锐角进行倒角，并去除棱角的毛刺。 当然，如果我们不想对这个夹缝位置倒角的话，可以在设计工装时，将这个位置保护起来，磨料无法通过这个夹缝，自然就不产生切削力。所以说，精艺研磨抛光是非常灵活的，可以根据工装的设计，做出不同的变化。 这样一个直径约150mm的模具，抛光时间约为15分钟左右，完成后，可以使用粗糙度检测仪检测，孔内壁粗糙度已经在原来的基础上降低了3个等级，如果是慢丝割的，达到镜面是非常简单的。

切割、研磨、抛光容易忽视的操作环节要注意了

研磨抛光，切割前应对其定向，确定切割面，切割时首先将锯片固定好，被切晶体材料固定好，切割速度选择好，切割时不能不用切割液，它不仅能冲洗锯片，而且还能减少由于切割发热对晶体表面产生的损害，切割液还能冲刷切割区的晶体碎渣。 切割下来的晶片，要进入下一道工序研磨。首先要用测厚仪分类测量晶片的厚度进行分组，将厚度相近的晶片对称粘在载料块上。粘接前，要对晶片的周边进行倒角处理。粘片时载料块温度不易太高，只要固定腊溶化即可，晶片 摆放在载料块的 外圈，粘片要对称，而且要把晶片下面的空气排净（用铁块压实）。防止产生载料块不转和气泡引发的碎片的现象。在研磨过程中适时测量减薄的厚度，直到工艺要求的公差尺寸为止。 使用研磨抛光机前要将设备清洗干净，同时为保证磨盘的平整度，每次使用前都要进行研盘，研盘时将修整环和磨盘自磨，选用研磨液要与研磨晶片的研磨液相同的磨料进行，每次修盘时间10分钟左右即可。只有这样才能保证在研磨时晶片表面不受损伤，达到理想的研磨效果。 抛光前要检查抛光布是否干净，抛光布是否粘的平整，一定要干净平整。进行抛光时，抛光液的流量不能小，要使抛光液在抛光布上充分饱和，一般抛光时间在一小时以上，期间 不停机，因为停机，化学反应仍在进行，而机械摩擦停止，造成腐蚀速率大于机械摩擦速率，而使晶片表面出现小坑点。 设备的清洗非常重要，清洗是否干净将直接影响磨、抛晶片的质量。每次研磨或抛光后，都要认真将设备里外清洗干净。