为了获得光亮的电抛光表面，必须使表面上微观粗糙度降低到低于光的波长。要达此目的，通常认为应当形成比中间黏液层更厚、更致密、更易钝化的紧密层，它可以是趋于饱和的高黏度黏液层，也可以是固体层。这样，金属的溶解是在紧密膜内进行的，紧密膜的形成速度应当超过该膜的溶解速度，这是存在紧密膜的前提。在几乎无对流的特殊条件下，变得十分厚，也更加紧密，甚至可以出现光的干涉色。在这样厚的黏液膜或固体膜内，阳极电流密度变得非常小，它可以使微观的凸出部溶解，而微观的凹入部不再溶解，这就达到了微观整平目的。由于类似的状态在金属表面的多处均存在，使表面的各个部分均发生微观整平，这种表面的无序微观整平的终结果，就使金属表面变得光亮。所以电抛光实际上是阳极表面的宏观整平(一次电流分布)和微观整平(二次电流分布)作用的结果。只有宏观整平，阳极表面只能变得平滑，但不能产生光泽。有些电解液可以同时具有宏观整平与微观整平作用，在使用抛光抛光的阶段，形成的黏液膜的黏度还不够高，此时只起宏观整平作用。当宏观整平进行到一定程度后，形成的黏液膜更黏、更贴近金属表面，因此也可以起微观整平的作用，从而达到真正抛光的效果。

抛光是工件表面处理必要的设备，很多老司总是在想，“能不能抛光效果更好一点，抛光工件的速度更快一点”。想要解决这两个难题，我们首先要了解抛光效果与速率与哪些因素有关，之后才能做对应的调整改善。 抛光轨迹对抛光性能的影响 抛光精度，即抛光性能，是平面抛光采购商及供货商共同关注的焦点。抛光轨迹是影响抛光性能根本的影响因素。 平面抛光轨迹根据加工工件及加工盘的不同相对运动，有定偏心研磨轨迹、不定偏心研磨轨迹、直线式研磨轨迹、摇摆式研磨轨迹、方形分形研磨轨迹，行星式研磨轨迹等等。 定偏心研磨轨迹的工件材料去除均匀性较差，越靠近工件中心材料去除率越低。一般只用于加工直径不大于200mm的小尺寸工件。其中高精密研磨抛光就是这种。 不定偏心式研磨轨迹，其均匀性明显好于定偏心式轨迹，有利于工件面形精度的提高。适合于直径大于200mm的大尺寸工件的加工。量产型镜面抛光的研磨抛光轨迹就是这种类型。 直线式研磨使用的不是抛光盘，而是具有柔性的砂带，工件做单纯的回转运动。平面研磨抛光自修整构的刀具在研磨盘上的轨迹也就是这种。此种运动形式简单，如将研磨带加长可以形成批量生产，生产效率高。 摇摆式研磨轨迹比定偏心双轴式或直线式研磨更均匀。轨迹在加工面中心呈几种的趋势，是工件加工面中心处有凹陷的现象。 行星式平面研磨运动轨迹常见用于双面研磨，当改变研磨盘转速和太阳转速之比时，工作效率及材料去除率会发生变化。