流体抛光后，工件抛光面粗糙度与两个因素有 直接的关系，一是抛光面原始粗糙度大小，原始粗糙度越好，抛光后的粗糙度越低；二是磨料颗粒度大小，但与我们常规思维不同，并不是颗粒度越细，抛后的粗糙度就越低。应该是抛光面原始粗糙度越好，那么就选用颗粒度更细的磨料，抛出来的粗糙度越低。如果原始粗糙度较高，直接用细磨料，并不能抛出很好的效果，得先用较粗磨料粗抛，然后用细磨料精抛。 当工件待抛光面原始粗糙度较高时，细磨料只能去除一些较细的颗粒，而较粗的颗粒，反而会被研磨隔离。所以先用粗磨料，将较大的粗糙颗粒切削掉，再精抛，将小颗粒粗糙部位磨平。 同样的，如果待抛光面的原始粗糙度已经很好了，就必须选用颗粒度更细的磨料，否则会在表面留下划痕。

研磨抛光，切割前应对其定向，确定切割面，切割时首先将锯片固定好，被切晶体材料固定好，切割速度选择好，切割时不能不用切割液，它不仅能冲洗锯片，而且还能减少由于切割发热对晶体表面产生的损害，切割液还能冲刷切割区的晶体碎渣。 切割下来的晶片，要进入下一道工序研磨。首先要用测厚仪分类测量晶片的厚度进行分组，将厚度相近的晶片对称粘在载料块上。粘接前，要对晶片的周边进行倒角处理。粘片时载料块温度不易太高，只要固定腊溶化即可，晶片 摆放在载料块的 外圈，粘片要对称，而且要把晶片下面的空气排净（用铁块压实）。防止产生载料块不转和气泡引发的碎片的现象。在研磨过程中适时测量减薄的厚度，直到工艺要求的公差尺寸为止。 使用研磨抛光机前要将设备清洗干净，同时为保证磨盘的平整度，每次使用前都要进行研盘，研盘时将修整环和磨盘自磨，选用研磨液要与研磨晶片的研磨液相同的磨料进行，每次修盘时间10分钟左右即可。只有这样才能保证在研磨时晶片表面不受损伤，达到理想的研磨效果。 抛光前要检查抛光布是否干净，抛光布是否粘的平整，一定要干净平整。进行抛光时，抛光液的流量不能小，要使抛光液在抛光布上充分饱和，一般抛光时间在一小时以上，期间 不停机，因为停机，化学反应仍在进行，而机械摩擦停止，造成腐蚀速率大于机械摩擦速率，而使晶片表面出现小坑点。 设备的清洗非常重要，清洗是否干净将直接影响磨、抛晶片的质量。每次研磨或抛光后，都要认真将设备里外清洗干净。